رسائل دكتوراة
الفرنسية
2016
f68e51f5-de95-4bd7-b506-9737bdad5aa2
Relaxation dans les semiconducteurs
Mohamed Boumaza, Saadi Lamari
كلية العلوم-جامعة فرحات عباس - سطيف1 · الجزائر
الموضوعات
علوم بحتة وطبيعية
الملخص
-Chapitre I: Structure électronique et bandes d'énergie-Chapitre II: Dynamique du réseau-Chapitre III:Interaction trou-phonon dans le modèle massif des phonons-Chapitre IV: Interaction des trous avec les phonons optiques polaires confinés et d'interfaces-Chapitre V:Temps de relaxation de l'impulsion des trous lourds dus aux phonons optiques polaires
روابط وملفات
التعريف والنوع
- رقم الوثيقة
- f68e51f5-de95-4bd7-b506-9737bdad5aa2
- رقم العقد
- 0
- نوع الوسائط
- Crawler
- نوع المحتوى
- الرسائل العلمية
- صيغة المصدر
- رسائل دكتوراة
- نوع الملف
- pdf text
- أسماء الملفات
- 324503_1.pdf
بيانات النشر
- ألقاب المؤلفين
- [{"name_ar":"Mohamed Boumaza","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"Saadi Lamari","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]
- اللغة
- French
المصدر والدورية
- اسم المصدر
- Relaxation dans les semiconducteurs
المحتوى والصفحات
- عدد الصفحات
- 0
إشراف وإعداد
- الإشراف
- Saadi Lamari
- الإعداد
- Mohamed Boumaza
الاقتباسات الببليوغرافية
APA
Mohamed Boumaza و Saadi Lamari. (2016). Relaxation dans les semiconducteurs. أطروحة(رسائل دكتوراة). كلية العلوم-جامعة فرحات عباس - سطيف1. الجزائر.
MLA
Mohamed Boumaza و Saadi Lamari. Relaxation dans les semiconducteurs. 2016. كلية العلوم-جامعة فرحات عباس - سطيف1، رسائل دكتوراة.