Dimensionnement des émetteurs enterrés EWT des cellules solaires industrielles à base de silicium multicristallin.

الموضوعات

علوم بحتة وطبيعية

الملخص

La croissance de l'industrie photovoltaïque est basée sur la réduction des coûts de fabricationpour rendre l'énergie plus compétitive avec les combustibles fossiles. Pour atteindre cetobjectif, nous devons réduire le ratio des coûts de production sur l'efficacité des cellules.L'alternative est de placer tous les contacts sur l'arrière des cellules solaires pour réduire leseffets d'ombrage. L'une des technologies les plus récentes proposées est la structure EWT.Cette structure a un émetteur en face avant mais tous les contacts sont en face arrière.L'interconnexion de l'émetteur entre l'avant et l'arrière est réalisée à travers des trous dans lesubstrat. Ces trous, généralement percés au laser, sont diffusés et permettent ainsi d'assurer lacollecte des porteurs depuis la face avant jusqu'à l'arrière. Ce concept augmente également lasurface latérale de la jonction. Dans cette thèse, la simulation sous environnement Atlas /Silvaco a été utilisée pour optimiser les paramètres géométriques et physiques les plusimportants des cellules solaires EWT au silicium multi-cristallin. La principale difficulté est legrand nombre de paramètres affectant les performances de ce type de structure. Cependant,notre étude se concentre sur le substrat, l'émetteur, le champ de surface arrière (BSF) et lescontacts métalliques. Notre code de simulation numérique permet de trouver la conceptionoptimale de la structure EWT. L'efficacité de conversion peut atteindre une valeur de 18,6%en considérant un substrat de silicium multi-cristallin de type p avec une durée de vie desporteurs minoritaires de l'ordre de 10-6s. Une autre partie concerne les effets des diélectriquessur le rendement de conversion des cellules solaires Différents matériaux, tels que Al2O3,HfO2, TiO2 et SiO2, ont été déposés par diverses techniques sur la face avant d'une cellulephotovoltaïque EWT (Emitter Wrap Through) au silicium multi-cristallin (mc-Si ).L'épaisseur de la couche passivée a été optimisée en utilisant le logiciel Matlab. Les vitessesde recombinaison utilisées dans la simulation ont été tirées de la littérature. A l'aide dulogiciel TCAD (2D) Silvaco / Atlas, les meilleurs résultats (pour les paramètres électriques)ont été obtenus avec TiO2 (indice de réfraction n = 2.6 à λ = 620nm pour une épaisseur de5nm, un rendement de cellule solaire d'environ 20,5% est obtenu..

روابط وملفات

التعريف والنوع

رقم الوثيقة

fc70a88d-88a1-4b1d-a235-f67e6fa9c922

رقم العقد

0

نوع الوسائط

Crawler

نوع المحتوى

الرسائل العلمية

صيغة المصدر

رسائل دكتوراة

نوع الملف

pdf text

أسماء الملفات

206887_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":" Batoul Benyelles","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"Abdellatif Zerga","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Benabadji","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"}]

اللغة

French

المصدر والدورية

اسم المصدر

Dimensionnement des émetteurs enterrés EWT des cellules solaires industrielles à base de silicium multicristallin.

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات

0

إشراف وإعداد

الإشراف

Abdellatif Zerga

الإعداد

Batoul Benyelles, Benabadji

الاقتباسات الببليوغرافية