Quantification des paramétres caractéristiques d'une homojonction P-N: Appliquer a échantillon au silicium diode IN 5227
Amel Laroubi, Khaled Mahi
كلية علوم المادة-جامعة ابن خلدون – تيارت · الجزائر
الموضوعات
علوم بحتة وطبيعية
الملخص
La caractéristique électrique courant-tension est très importante puis qu’elle décrit le fonctionnement et les performances des dispositifs électroniques,particulièrement aux faibles niveaux d’injection (faibles polarisation). Dans le cadre de ce mémoire de Master, nous nous sommes intéressés à un échantillon à homojonction, réalisé par la croissance de Silicium (Si). Afin de mettre en évidence les processus de transport électronique dans un composant à base de jonctions oud’hétérojonctions p- n, nous avons mis au point une technique expérimentale simple pour quantifier les courants de fuites et corriger les caractéristiques expérimentalescourant-tension. Cette technique a été appliquée avec succès sur un composanti ndustriel au silicium.
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التعريف والنوع
- رقم الوثيقة
- fc3b2379-2139-479b-87ae-7108563e59c6
- رقم العقد
- 0
- نوع الوسائط
- Crawler
- نوع المحتوى
- الرسائل العلمية
- صيغة المصدر
- ماستر (LMD)
- نوع الملف
- pdf text
- أسماء الملفات
- 2255559_1.pdf
بيانات النشر
- ألقاب المؤلفين
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- English
المصدر والدورية
- اسم المصدر
- Quantification des paramétres caractéristiques d'une homojonction P-N: Appliquer a échantillon au silicium diode IN 5227
المحتوى والصفحات
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- كلمات الباحثين
- semiconducteur, jonction p-n, caractéristique I-V, résistance shunt
إشراف وإعداد
- الإشراف
- Khaled Mahi
- الإعداد
- Amel Laroubi
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