Study of the effect of the temperature and the magnetic field on NBTI in the MOSFET devices

Hamid Bentarzi , Meftah Mallati

معهد الهندسة الكهربائية والإلكترونية-جامعة أمحمد بوقرة - بومرداس · الجزائر

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

روابط وملفات

الوثيقة في المستودع الخارجي عرض في AskZad

التعريف والنوع

رقم الوثيقة: fb51c6cf-1902-40ec-be05-9f59054cae70
رقم العقد: 0
نوع الوسائط: Crawler
نوع المحتوى: الرسائل العلمية
صيغة المصدر: رسائل دكتوراة
نوع الملف: pdf text
أسماء الملفات: 2023568_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين: [{"name_ar":"Hamid Bentarzi ","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Meftah Mallati","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"}]
اللغة: English

المصدر والدورية

اسم المصدر: Study of the effect of the temperature and the magnetic field on NBTI in the MOSFET devices

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات: 0

إشراف وإعداد

الإشراف: Hamid Bentarzi
الإعداد: Meftah Mallati

الاقتباسات الببليوغرافية

APA

Hamid Bentarzi و Meftah Mallati. (2020). Study of the effect of the temperature and the magnetic field on NBTI in the MOSFET devices. أطروحة(رسائل دكتوراة). معهد الهندسة الكهربائية والإلكترونية-جامعة أمحمد بوقرة - بومرداس. الجزائر.

MLA

Hamid Bentarzi و Meftah Mallati. Study of the effect of the temperature and the magnetic field on NBTI in the MOSFET devices. 2020. معهد الهندسة الكهربائية والإلكترونية-جامعة أمحمد بوقرة - بومرداس، رسائل دكتوراة.