Elaboration De Films Minces D’oxydes Semiconducteurs Par Voie Sol Gel: en Vue D’application Aux Optoélectroniques Capteurs Et Biomédicaux

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علوم بحتة وطبيعية

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Ce travail, était pour le but de préparer et étudier les propriétés des nanoparticules de certainscélèbres oxydes, par le procédé sol-gel type spin coating. Cette nouvelle méthode a été optée car elleprésente l’avantage d’avoir des dépôts de qualités et elle est simple et économique. Dans ce contexte,nous avons choisi d’étudier l’oxyde de zinc(ZnO) pur et dopé, l'oxyde stannique (SnO2) et le dioxydede cérium (CeO2). Les nanostructures de ces oxydes continuent à susciter une immense attention dupoint de vue fondamental et application, principalement en raison de leurs propriétés très exploitées.Les films ont été déposés en particulier sur des substrats isolants, à partir de solutions avec des faiblesconcentrations en sels précurseurs dans des alcools appropriés, en ajoutant des solutions aident àstabiliser les solutions s'il est nécessaire. Les films transparents obtenus, ont été prétraités à 250°Cpendant 5 minutes après chaque étape de dépôt et traités finalement, à une température plus élevée(350-600°C) pendant 1h.Les films obtenus ont été étudiés ainsi que l’optimisation des paramètres pertinents de dépôts. Danscette perspective, nous avons étudié l'influence de la concentration de la solution, la répétition decycles spin, la température de recuit, la nature du substrat et le dopage, en utilisant multiple méthodesde caractérisation. La détermination des propriétés morphologiques et structurales des films, a étéévaluée en fonction de ces paramètres et les répercussions sur les propriétés optiques et électriques.Les techniques, diffraction de rayon X (DRX) et microscopie à force atomique (AFM) ont montré quela taille des cristallites de nos oxydes est nanométrique, résultat en bon accord avec l'estimation parMicroscope Electronique à Transmission (MET).Une considération particulière a été portée sur l'oxyde de zinc. Des films fortement orientés suivant leplan (002) sont obtenus. Les déférentes mesures montrent qu’il existe une épaisseur critique au-dessous de laquelle les films s’améliorent avec l'accroissement d'épaisseur, structuralement,optiquement et électriquement.Les faibles taux de dopage par des cations de valence supérieure à (+II), donnent la meilleurecristallinité, comparant avec les grandes concentrations, d’où la transmittance et les propriétésélectrique aussi, la résistivité a atteint des minimums pour les taux des dopants entre 1 et 3%.at.L’ensemble des paramètres examinés: l'épaisseur, le traitement thermique ainsi que le type de solutionutilisé, sont apparus comme étant les plus influents sur la qualité des oxydes SnO2 et CeO2. La surfacede ce dernier, et en raison d'accumulation des différentes contraintes au cours de la croissance présentede la fissuration. En générale, les caractéristiques assemblées démontrent l'efficacité de nos choix quisont très prometteurs pour aller à des applications importantes et une étude plus approfondie.

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fb35e086-c167-48ec-a052-f9eab9008c92

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رسائل دكتوراة

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292878_1.pdf

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ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":"A. Chala","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Mostefa Maache","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"T. Devers","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]

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French

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Elaboration De Films Minces D’oxydes Semiconducteurs Par Voie Sol Gel: en Vue D’application Aux Optoélectroniques Capteurs Et Biomédicaux

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A. Chala, T. Devers

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Mostefa Maache

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