Modélisation et optimisation des transistors GaN HEMT par les algorithmes génétiques

Asma Nouari, Marwa Mebarki, Zine-Eddine Touati, Zitouni Messai

كلية العلوم والتكنولوجيا-جامعة محمد البشير الإبراهيمي - برج بوعريريج · الجزائر

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

روابط وملفات

الوثيقة في المستودع الخارجي عرض في AskZad

التعريف والنوع

رقم الوثيقة: fac28a00-45b2-4743-9031-0b3835851ea6
رقم العقد: 0
نوع الوسائط: Crawler
نوع المحتوى: الرسائل العلمية
صيغة المصدر: ماستر (LMD)
نوع الملف: pdf text
أسماء الملفات: 790750_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين: [{"name_ar":"Asma Nouari","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"Marwa Mebarki","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"Zine-Eddine Touati","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Zitouni Messai","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]
اللغة: French

المصدر والدورية

اسم المصدر: Modélisation et optimisation des transistors GaN HEMT par les algorithmes génétiques

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات: 0
كلمات الباحثين: HEMT : transistors à grands mobilité électronique GaN : nitrure de gallium ADS : Advanced Design System LNA : amplificateurs a faible bruit

إشراف وإعداد

الإشراف: Zine-Eddine Touati, Zitouni Messai
الإعداد: Asma Nouari, Marwa Mebarki

الاقتباسات الببليوغرافية

APA

Asma Nouari،وآخرون. (2019). Modélisation et optimisation des transistors GaN HEMT par les algorithmes génétiques. أطروحة(ماستر (LMD)). كلية العلوم والتكنولوجيا-جامعة محمد البشير الإبراهيمي - برج بوعريريج. الجزائر.

MLA

Asma Nouari،وآخرون. Modélisation et optimisation des transistors GaN HEMT par les algorithmes génétiques. 2019. كلية العلوم والتكنولوجيا-جامعة محمد البشير الإبراهيمي - برج بوعريريج، ماستر (LMD).