Croissance de couches poreuses de silicium sous éclairement

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علوم بحتة وطبيعية

الملخص

L’étude du silicium poreux a connu un regain d’intérêt depuis la découverte de la possibilité pour ce matériau d’émettre efficacement de la lumière visible à température ambiante. Le silicium poreux (PS) est réalisé par anodisation du silicium monocristallin dans une solution aqueuse d’acide fluorhydrique. En fait, l’obtention de ce matériau en grande surface sur le silicium amorphe, pourrait permettre la réalisation d’afficheurs bon marché. Malheureusement, une instabilité d’origine électrostatique, limitant ainsi la croissance de la couche émettrice de la lumière après quelques nanomètres et engendre des canaux avec un diamètre de l’ordre de micromètres, ce phénomène est attribué à la forte résistivité du semi-conducteur (ρs)en comparaison avec celle de l’électrolyte (ρe). Pour y remédier nous avons envisagé de diminuer cette différence de résistivité par l’utilisation d’un électrolyte résistif. Il s’agit d’une solution d’acide fluorhydrique avec l’éthylène glycol en proportions variables. La formation d’une couche macroporeuse sur des substrats du silicium de type p de résistivité variant entre 1Ωcm et 30 KΩcm, a été observée par le microscope électronique à balayage, les macrospores observés ainsi, ont une forme tubulaire. Afin d’éliminer cette instabilité, nous avons éclairé les substrats du silicium résistif. L’apport des paires électrons-trous créées par laser He-Ne (λ =543, 628 nm) ou une lampe à tungstène, a totalement éliminé l’instabilité déjà observée à l’obscurité car une épaisseur de la couche nano poreuse dépassant les 30 μm a été observée, ce qui est largement suffisant pour avoir une luminescence.

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fa52be71-7882-4c73-987f-4f9e664781c2

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0

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الرسائل العلمية

صيغة المصدر

رسائل ماجيستير

نوع الملف

pdf text

أسماء الملفات

2231536_1.pdf

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ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":" Nawel Chiboub","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"N. Gabouze ","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]

اللغة

French

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Croissance de couches poreuses de silicium sous éclairement

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ترجمة الملخص

In the present work, a photo electro chemical etching method had been performed on highly resistive p-type Si(100) in order to eliminate the instability attributed to the high resistivity of substrate comparing to that of electrolyte . The anodization of p-type Si with resistivity ranging from 10 Ωcm to 30 kΩcm was carried out in HF/ethylene glycol. The resistivity of electrolyte was experimentally determinate by high frequency impedance measurements. We found that in the dark, as anodization proceeds structures of increasing characteristic size are formed then a steady state is reached, where macrospore grow parallel, the pore diameter of theses pores increases with decreasing substrate doping density. Whereas under both laser He-Ne (λ= 543, 628 nm) or tungsten lamp irradiation the formation of nano porous layer was observed during the anodization. The thickness of this later showed to be vary with the light intensity and the anodization time. The proprieties of porous silicon were investigated by scanning electron microscopy and Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR).

كلمات الباحثين

Croissance de couches poreuses de silicium sous éclairement

إشراف وإعداد

الإشراف

N. Gabouze

الإعداد

Nawel Chiboub

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