Simulations des profils des ions implantés sous bombardment ionique dans le GaAs

Akmoum Khemisti, Samah Haddouche

كلية العلوم والتكنولوجيا-جامعة محمد البشير الإبراهيمي - برج بوعريريج · الجزائر

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

الملخص

Le travail de ce mémoire porte sur l’étude des différentes distributions ,ions implantés ,phonons et atomes déplacés, sous bombardement ionique dans le GaAs.Le programme SRIM nous permet de déterminer les différentes grandeurs en fonction des divers paramètres (énergie, masse de l’ion et celle de la cible).Les résultats des simulations sont présentés et discutés en tenant compte des divers phénomènes d’interaction ion-matière (pouvoirs d’arrêt).

روابط وملفات

الوثيقة في المستودع الخارجي عرض في AskZad

التعريف والنوع

رقم الوثيقة: f47c99c1-bd17-46b9-ad09-0cfb41ab49fe
رقم العقد: 0
نوع الوسائط: Crawler
نوع المحتوى: الرسائل العلمية
صيغة المصدر: ماستر (LMD)
نوع الملف: pdf text
أسماء الملفات: 791641_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين: [{"name_ar":"Akmoum Khemisti","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Samah Haddouche","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"}]
اللغة: French

المصدر والدورية

اسم المصدر: Simulations des profils des ions implantés sous bombardment ionique dans le GaAs

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات: 0
كلمات الباحثين: SRIM ,GaAs ,implantions ionique

إشراف وإعداد

الإشراف: Akmoum Khemisti
الإعداد: Samah Haddouche

الاقتباسات الببليوغرافية

APA

Akmoum Khemisti و Samah Haddouche. (2024). Simulations des profils des ions implantés sous bombardment ionique dans le GaAs. أطروحة(ماستر (LMD)). كلية العلوم والتكنولوجيا-جامعة محمد البشير الإبراهيمي - برج بوعريريج. الجزائر.

MLA

Akmoum Khemisti و Samah Haddouche. Simulations des profils des ions implantés sous bombardment ionique dans le GaAs. 2024. كلية العلوم والتكنولوجيا-جامعة محمد البشير الإبراهيمي - برج بوعريريج، ماستر (LMD).