Etude, Simulation et Optimisation d’une photodiode ultra rapide à base des nouveaux Matériaux In GaAs/InP

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

الملخص

La transmission optique à très haut débit, nécessite le développement de récepteurs de très hautes performances. Ce travail porte sur l’étude, la simulation et l’optimisation d’une photodiode ultra-rapide à base d’un composé ternaire de semi conducteurs III-V de l’épitaxie In GaAs sur le substrat InP. Nous avons optimisé l’impact de la concentration d’indium sur les différentes paramètres électriques et optiques de l’alliage In GaAs/InP, à l’aide d’un logiciel de simulation qui est Matlab, ainsi que la capacité et la fréquence de coupure d’un photo détecteur (Very high-speed optical transmission requires the development of very high-performance receivers. This work deals with the study, simulation and optimization of an ultrafast photodiode based on a ternary compound of III-V semiconductors epitaxial InGaAs on InP substrate. We optimized the impact of indium concentration on the different electrical and optical parameters of the In GaAs/InP alloy, using a simulation software which is Matlab, as well as the capacitance and cut-off frequency of a photodetector.)

روابط وملفات

التعريف والنوع

رقم الوثيقة

f46db87b-63dd-43ee-9390-2a397e0dd21c

رقم العقد

0

نوع الوسائط

Crawler

نوع المحتوى

الرسائل العلمية

صيغة المصدر

ماستر (LMD)

نوع الملف

pdf text

أسماء الملفات

2225261_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":" Ghania Asma Longou","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":" Naima El Mechri ","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"Abdelkader Aissat","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]

اللغة

French

المصدر والدورية

اسم المصدر

Etude, Simulation et Optimisation d’une photodiode ultra rapide à base des nouveaux Matériaux In GaAs/InP

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات

0

ترجمة الملخص

يتطلب الارسال الضوئي بسرعه عالية جدا تطوير اجهزة استقبال عالية الأداء.يتركز هذا العمل على دراسة ومحاكاة وتحسين الصمام الثنائي الضوئي من نوع بي إن أن فائق السرعة استنادًا على مركب ثلاثي من أنصاف النواقلV-III،InGaAsعلى الركيزة InP.لقد قمنا بتحسين تأثير تركيز الإنديوم على مختلف الإعدادات الكهربائية و الضوئية لـInGaAs / InP، باستخدام برنامج محاكاة وهو Matlab، بالإضافة إلى السعة وتردد القطع لجهاز الكشف الضوئي.

كلمات الباحثين

Photodiode, substrat, épitaxie, Semi-conducteur III-V, Capacité, Fréquence de coupure, photodétecteu

إشراف وإعداد

الإشراف

Abdelkader Aissat

الإعداد

Ghania Asma Longou, Naima El Mechri

الاقتباسات الببليوغرافية