Etude unidimensionnel des défauts dans les cellules solaires CIGS

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

الملخص

Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, lerecours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus enplus fort. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques àbase de Cu (In, Ga) Se2 semble prometteur. En effet, le rendement de ces cellules a dépassé les20% ces dernières années avec certaine condition d'élaboration. L'étude du comportement descaractéristiques électriques des cellules photovoltaïques à base de CIGS est passé parl’optimisation des paramètres primordiales tels que l’épaisseur et le dopage des couches destructure typique de ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p). Cette étude est effectuée par le simulateurSCAPS-1D.Le but de ce travail, est d'étudier l'effet des défauts profonds dans l'absorbeur CIGS etdans la couche des défauts ODC ainsi que les défauts d'interface ODC/ZnSe sur lesperformances de la cellule ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p).

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f40ecff7-2ad8-4861-a9bb-c31e71b859dc

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0

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الرسائل العلمية

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ماستر (LMD)

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pdf text

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2065102_1.pdf

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ألقاب المؤلفين

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اللغة

French

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Etude unidimensionnel des défauts dans les cellules solaires CIGS

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إشراف وإعداد

الإشراف

Idris Bouchama

الإعداد

Mohamed Boudraa , Okba Benlemkharbech

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