A New Minimization Technique of the Error in Short-Channel Mosfet Circuits Resulting from Carrier Mobility Reduction

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

الملخص

As the transistor is scaled down, second order effects should be included in the analysis. Consequently, the square law drain current equation is not valid anymore and hence a way to compensate for the errors due to these effects should be considered. The main effects that can be compensated for are the channel length modulation, body effect and the carrier mobility reduction. For example, at large gate-source voltage, the high electric field developed between the gate and the channel confines the charge carrier to a narrower region below the oxide-silicon interface, leading to more carrier scattering and hence lower mobility. In this work, a new minimization technique to cancel the error in short-channel MOSFET circuits resulting from carrier mobility reduction is proposed. The proposed technique is used in redesigning some analog computational circuits like square-rooting circuit, squaring circuit and multiplying circuit based on MOS translinear loop principle operating in strong inversion. The proposed circuits are simulated using T-spice in 0.18µm CMOS technology.

روابط وملفات

التعريف والنوع

رقم الوثيقة

f281ea98-b4f1-4866-88a6-bd6e88dcdf5f

رقم العقد

0

نوع الوسائط

Crawler

نوع المحتوى

الرسائل العلمية

صيغة المصدر

رسائل ماجيستير

نوع الملف

pdf text

أسماء الملفات

946049_1.pdf

بيانات النشر

ترجمة العنوان

طريقة جديدة لتقليل الخطأ الناجم عن تأثير حركة الإلكترونات عبر القناة في الدوائر الكهربائية والتي تستخدم ترانزستور قصير القناة من نوع MOSFET

ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":"إبراهيم علي أبو بكر الصبان","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"منير العباسي ","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]

اللغة

English

المصدر والدورية

اسم المصدر

A New Minimization Technique of the Error in Short-Channel Mosfet Circuits Resulting from Carrier Mobility Reduction

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات

0

ترجمة الملخص

من المعلوم أنه كلما قل حجم الترانزيستور فإن العوامل الثانوية المؤثره في أدائه تزداد بشكل كبير وبالتالى فإن هذه العوامل تكون مهمة جدا ويجب اخذها بعين الاعتبار في تصميم الدوائر الإلكترونية. وأهم العوامل المؤثره هي تأثير طول القناة و حركة الإلكترونات في القناة.فمثلا عند زيادة الجهد بين البوابة والمصدر للترانزيستور فإن المجال المغناطيسي بين البوابة والقناة يزداد بشكل كبير الامر الذي يؤدي الى الحد من تنقل الشحنات الكهربائية أسفل البوابة وبالتالي يزداد تشتت اللإلكترونات وهذا يحد من حركتها عبر القناة وهذ مايعرف بإسم(Carrier Mobility Reduction).هذا البحث يقدم طريقة جديده لتقليل الخطأ الناجم عن تأثير حركة الإلكترونات عبر القناة في الدوائر الكهربائية والتى تستخدم ترانزستور قصير القتاة من نوعMOSFET.هذه الطريقة تم تطبيقها على دوائر تماثليه والتي شملت كل من دائرة الجذر التربيعي ودائرة التربيع ودائرة الضرب. تم تنفيذ جميع هذه الدوائر بأستخدام طريقة الحلقة أو مايعرف بإسم(Translinear Loop).تم محاكاة هذه الدوائر بإستخدام أحد البرامج المعتمدة من الصناعةTanner T-Spiceوالذي أستخدم فيه نقنية الCMOS 0.18µm.

إشراف وإعداد

الإشراف

منير العباسي

الإعداد

إبراهيم علي أبو بكر الصبان

الاقتباسات الببليوغرافية