Contribution à l'analyse du comportement petit signal du transistor MOS SOI 130nm
Djabar Maafri, Hakim Iarichen, Lyakout Achour, Smail Meddour
كلية التكنولوجيا-جامعة عبد الرحمان ميرة - بجاية · الجزائر
الموضوعات
علوم تطبيقية وتكنولوجية
الملخص
Le transistor est probablement l'invention la plus géniale de l'ère moderne. Lesfonctionnalités qu'il peut accomplir, depuis sa création en 1937, ont permit aux scientifiquesde développer, de mieux en mieux, des applications RF à haute performance liés à l'industrieélectronique.Notre travail est porté sur l'analyse de comportement petit signal du transistor MOS SOI130nm, qui ne peut se faire sans la modélisation de ce dernier. Ceci nous a permis dereproduire les phénomènes physiques et électriques régissant ce type de composant, ainsi quel'extraction des paramètres qui constituent son schéma électrique équivalent dans des plagesde fréquences allant jusqu'à 40 GHz. L'extraction a été effectué à différents points depolarisation à partir des données expérimentales (paramètres [S]), disponibles au niveau ducentre de développement des technologies avancées CDTA.
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التعريف والنوع
- رقم الوثيقة
- f188016f-8b62-41c6-bf4f-b87896b3ad10
- رقم العقد
- 0
- نوع الوسائط
- Crawler
- نوع المحتوى
- الرسائل العلمية
- صيغة المصدر
- ماستر (LMD)
- نوع الملف
- pdf text
- أسماء الملفات
- 927842_1.pdf
بيانات النشر
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- اللغة
- French
المصدر والدورية
- اسم المصدر
- Contribution à l'analyse du comportement petit signal du transistor MOS SOI 130nm
المحتوى والصفحات
- عدد الصفحات
- 0
- كلمات الباحثين
- MOS SOI 130nm : Modélisation : Transistor
إشراف وإعداد
- الإشراف
- Djabar Maafri, Lyakout Achour
- الإعداد
- Hakim Iarichen, Smail Meddour
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