Simulations de l’influence des défauts sur une diode Schottky à base AlGaAs

Abdelkader Aissat , Chakib Brahimi, Moussa Benlemdjaldi, Walid Filali

كلية التكنولوجيا-جامعة سعد دحلب - البليدة · الجزائر

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

روابط وملفات

الوثيقة في المستودع الخارجي عرض في AskZad

التعريف والنوع

رقم الوثيقة: ef9332d5-ae65-43b0-9490-0639777466f9
رقم العقد: 0
نوع الوسائط: Crawler
نوع المحتوى: الرسائل العلمية
صيغة المصدر: ماستر (LMD)
نوع الملف: pdf text
أسماء الملفات: 2235920_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين: [{"name_ar":"Abdelkader Aissat ","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Chakib Brahimi","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"Moussa Benlemdjaldi","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"Walid Filali ","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]
اللغة: French

المصدر والدورية

اسم المصدر: Simulations de l’influence des défauts sur une diode Schottky à base AlGaAs

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات: 0
كلمات الباحثين: Diode ; Schottky ; Semi-conducteurs Diode ; Schottky ; Semi-conducteurs

إشراف وإعداد

الإشراف: Abdelkader Aissat , Walid Filali
الإعداد: Chakib Brahimi, Moussa Benlemdjaldi

الاقتباسات الببليوغرافية

APA

Abdelkader Aissat ،وآخرون. (2018). Simulations de l’influence des défauts sur une diode Schottky à base AlGaAs. أطروحة(ماستر (LMD)). كلية التكنولوجيا-جامعة سعد دحلب - البليدة. الجزائر.

MLA

Abdelkader Aissat ،وآخرون. Simulations de l’influence des défauts sur une diode Schottky à base AlGaAs. 2018. كلية التكنولوجيا-جامعة سعد دحلب - البليدة، ماستر (LMD).