Contribution à l’étude des propriétés électroniques d’un semi-conducteur ternaire

الموضوعات

علوم بيئية

الملخص

A travers ce travail, nous avons étudié théoriquement en utilisant l’approximation d’onde plane à croissance linéairéés (FP-LAPW) dans le cadre de la théorie de la dépendance à la densité (DFT) pour déterminer les propriétés structurelles électronique des composés ternaires de chalcopyrite ZnX2As2 (X=Ge, Si). puis calculer le potentiel d’échange et la corrélation à l’aide d’une approximation de la densité locale (LAD), d’une approximation de gradient généralisé (GGA) et d’une approximation de Brick-Johnson modifiée (mBJ).Les propriétés structurales telles que la constante de réseau, le module de compressibilité et sa dérivée sont en accord avec les résultats expérimentaux disponible. Ces composés ZnX2As2 (X=Ge, Si) sont non magnétiques, et nous avons également trouvé des valeurs identiques pour le rapport (c / a).L’étude des propriétés électronique par le calcul de la densité d’états a montré que ces composés sont classés comme semi-conducteurs

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ebb71501-f29d-4fb1-b1a8-5ff64b45866b

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0

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Crawler

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الرسائل العلمية

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ماستر (LMD)

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pdf text

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2073822_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":" M'hamed Benlaitar","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":" Saliha Choutla","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"Zoulikha Charifi ","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]

اللغة

French

المصدر والدورية

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Contribution à l’étude des propriétés électroniques d’un semi-conducteur ternaire

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0

إشراف وإعداد

الإشراف

Zoulikha Charifi

الإعداد

M'hamed Benlaitar, Saliha Choutla

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