Schoobrary رجوع
العودة إلى البحث
رسائل دكتوراة الانجليزية 2020 102128d5-4746-4662-b046-ad463037691b

Confinement Effectson Electronic Properties ofNano Scale Semiconductors

آثار التحجيم على الخصائص الإلكترونية لأشباه الموصلات النانوية

مبارك درار, محمد ياسين

كلية الدراسات العليا-جامعة السودان للعلوم والتكنولوجيا · السودان

الموضوعات

علوم بحتة وطبيعية

الملخص

The behavior of macroscopic electronic components can be easily understood using classical electric and electronic relations. Unfortunately such classical relations can no longer capable of describing nano electronic components. This is due to the fact that nano particles can not be described by classical laws, but one needs quantum laws in this case. This needs new quantum electronic model that can describe nano electronic components behavior. Using quantum uncertainty principle and statistical distribution current, one can find conductivity, conductance and resistance in terms of Plank constant, density of energy states and diffusion constant. These quantities are shown to be quantized. These relations enables writing ohms law as a sum of classical part sensitive to the conductor length beside a quantum part sensitive to chemical energy and diffusion current at diode interface. The formal definition of resistance and conductance in terms of current and volt has been used to find the quantum resistance. The energy density of states manifests it self through the statistical distribution function, while the plank constant was incorporated through the chemical potential. The statistical nature of these parameters manifests itself through the diffusion constant which is related to the current density. The same arguments were used to obtain quantum capacitance in terms of the energy density of states, for non-equilibrium systems.The Boltzman transport equation has been written in terms of a chemical potential variation instead of the statistical distribution function, which has been smeared out using simple mathematical tricks. The Boltzman equation was thus used to obtain conductance and resistance for quantum non equilibrium systems.

التعريف والنوع

رقم الوثيقة
102128d5-4746-4662-b046-ad463037691b
رقم العقد
0
نوع الوسائط
Crawler
نوع المحتوى
الرسائل العلمية
صيغة المصدر
رسائل دكتوراة
نوع الملف
pdf text
أسماء الملفات
2032416_1.pdf

بيانات النشر

ترجمة العنوان
آثار التحجيم على الخصائص الإلكترونية لأشباه الموصلات النانوية
ألقاب المؤلفين
[{"name_ar":"مبارك درار","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"محمد ياسين","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"}]
اللغة
English

المصدر والدورية

اسم المصدر
Confinement Effectson Electronic Properties ofNano Scale Semiconductors

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات
0

إشراف وإعداد

الإشراف
مبارك درار
الإعداد
محمد ياسين

الاقتباسات الببليوغرافية

APA

مبارك درار و محمد ياسين. (2020). Confinement Effectson Electronic Properties ofNano Scale Semiconductors. أطروحة(رسائل دكتوراة). كلية الدراسات العليا-جامعة السودان للعلوم والتكنولوجيا. السودان.

MLA

مبارك درار و محمد ياسين. Confinement Effectson Electronic Properties ofNano Scale Semiconductors. 2020. كلية الدراسات العليا-جامعة السودان للعلوم والتكنولوجيا، رسائل دكتوراة.