Etude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V (GaN)

Hammache Oum El Kheir, Benamrani Ammar

كلية العلوم والتكنولوجيا-جامعة محمد البشير الإبراهيمي - برج بوعريريج · الجزائر

الموضوعات

علوم بحتة وطبيعية

روابط وملفات

الوثيقة في المستودع الخارجي عرض في AskZad

التعريف والنوع

رقم الوثيقة: 0f3ed327-16e0-4633-bc0f-8b9e69a9db53
رقم العقد: 0
نوع الوسائط: Crawler
نوع المحتوى: الرسائل العلمية
صيغة المصدر: ماستر (LMD)
نوع الملف: pdf text
أسماء الملفات: 790569_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين: [{"name_ar":" Hammache Oum El Kheir","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"Benamrani Ammar","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]
اللغة: French

المصدر والدورية

اسم المصدر: Etude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V (GaN)

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات: 0
كلمات الباحثين: DFT, Nitrure de Gallium, Ondes planes, pseudopotentiels, CASTEP, ABINIT, DFPT.

إشراف وإعداد

الإشراف: Benamrani Ammar
الإعداد: Hammache Oum El Kheir

الاقتباسات الببليوغرافية

APA

Hammache Oum El Kheir و Benamrani Ammar. (2019). Etude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V (GaN). أطروحة(ماستر (LMD)). كلية العلوم والتكنولوجيا-جامعة محمد البشير الإبراهيمي - برج بوعريريج. الجزائر.

MLA

Hammache Oum El Kheir و Benamrani Ammar. Etude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V (GaN). 2019. كلية العلوم والتكنولوجيا-جامعة محمد البشير الإبراهيمي - برج بوعريريج، ماستر (LMD).