Ga1−xMnxN Magnetic Semiconductors: First-Principles Study

الموضوعات

علوم بحتة وطبيعية

الملخص

We present the results of First-Principles calculations of the magnetic semiconductors for Ga1-xMnxN systems taking the concentrations (0.0,0.125, 0.25, 0.50, 0.75 , 1.00) in the Zinc-blende Structure (ZBStructure), using a self-consistent full-potential linearized augmented plane-wave (FP-LAPW) method implemented by the WIEN2K package. The local spin density approximation (LSDA) as well as the generalized gradient approximation (GGA) are used to treat the exchange correlation potential, and taking into account spin polarization. PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com xviii In order to design new or employ the existing diluted magnetic semiconductor materials, the underlying mechanisms of magnetism must be understood. The total energy versus lattice constant is obtained using the spin density functional theory (DFT). It is found that the equilibrium lattice parameters strongly depend on the concentration of the Mn-dopant (x ). Also we found that the energy band gaps ( Eg ) for these systems depend on (x ), in other words the energy band gap decreases by increasing the Mn concentration. We mainly studied the Bulk parameters of our system, band structures, and magnetic properties. We made numerical investigations of the structural, magnetic properties for simple cases under pressure, in other part of our results we report an analysis of structures, magnetic properties of the Ga1-xMnxN , i.e GaN doped with Mn, with different concentrations, 0.125, 0.25, 0.5, 0.75 and so for major, minor compounds (GaN, MnN)

روابط وملفات

التعريف والنوع

رقم الوثيقة

0eb7b889-c814-49e8-9128-b156065b4de3

رقم العقد

0

نوع الوسائط

Crawler

نوع المحتوى

الرسائل العلمية

صيغة المصدر

رسائل ماجيستير

نوع الملف

pdf text

أسماء الملفات

80255_1.pdf

بيانات النشر

ترجمة العنوان

دراسة الخصائص الأولية لأشباه الموصلات الممغنطة للمخلوط الثلاثي Ga1-xMnxN

ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":"عبدالرحمن مصطفى أبولبدة ","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"فرح علي ديب صالح","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"محمد سلامة سالم أبو جعفر","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]

اللغة

English

المصدر والدورية

اسم المصدر

Ga1−xMnxN Magnetic Semiconductors: First-Principles Study

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات

0

ترجمة الملخص

نقدم في هذه الأطروحة حساب الخصائص المغناطيسية والالكترونية للمخاليط المغناطيسية في حالة التركيب البلوري لكبريتات الخارصين وذلك باستخدام طريقة الموجات المستوية المعدلة الخطية لجهد تام (FP-LAPW). لقد تم استخدام تقريب الكثافة المغزلية الموضعية (LSDA) وتقريب الميل الإتجاهي المعمم (GGA) للجهد التبادلي الترابطي. لقد حصلنا على سلوك ثابت في الخصائص المغناطيسية مع ازدياد نسبة مادة المنغنيز(Mn) في الخليط.أظهرت الدراسة الحالية بأن المركب GaN ذو طاقة فجوة مباشرة وانه شبه موصل غير انه لا يمتلك الخصائص المغناطيسية في التركيب البلوري الحالي , كما تم الحصول على طاقة فجوة متباينة للمخلوط وتبين بأنها تعتمد على تركيز مادة المنغنيز.أظهرت النتائج الحالية بان مركب MnN في التركيب البوري الحالي يمكن به أن يصل إلى حالة المادة المغناطيسية إذا تعرض لظروف تجعله يزداد حجما كالحرارة مثلا.

إشراف وإعداد

الإشراف

عبدالرحمن مصطفى أبولبدة , محمد سلامة سالم أبو جعفر

الإعداد

فرح علي ديب صالح

الاقتباسات الببليوغرافية