Simulation numérique d’une Cellule solaire (p/n) en GaAs

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

الملخص

Nous avons effectué dans ce mémoire la simulation numérique des caractéristiquesélectriques, courant-tension et réponse spectrale, d'une cellule solaire en p-n en GaAs. Lesparamètres de sortie de la cellule calculés par simulation sont 30.64 mA/cm2, 0.917 V,85.43% et un rendement de 24.01 %. On a fait également une étude de l'effet de l'épaisseur etdu dopage de l'émetteur et du collecteur, ainsi que les densités des défauts intrinsèques sur lesparamètres de sortie de la cellule qui sont, la tension de circuit ouvert � �� , le courant de courtcircuit ��� , le facteur de forme �� , le rendement de conversion �, et la réponse spectrale.D'après les résultats, les paramètres du collecteur ont plus d'effets par rapport à ceux del'émetteur. L'augmentation de la densité du piège profond à électron (0.46 eV par rapport à��) de 1012 à 1015��−3 induit une diminution dans le rendement de conversion de la cellulede 20.2% (de 26.94 à 21.5%). Alors que l'augmentation de la densité du centre derecombinaison (0.71 eV) cause une diminution de 7.9% (de 26.96 à 24.81%).

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0de611f9-52be-4a2a-9181-fcaaca8c06a2

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ماستر (LMD)

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French

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Simulation numérique d’une Cellule solaire (p/n) en GaAs

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الإشراف

Meftah Afak

الإعداد

Hfayed Massika

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