Etude des propriétés électroniques des semi-conducteurs ternaires (III-V)

الموضوعات

علوم بحتة وطبيعية

الملخص

Dans ce projet, nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques desmatériaux binaires (AlN, GaN et InN) et des alliages ternaires (Al0.5Ga0.5N, Al0.5In0.5N etGa0.5In0.5N) en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW)dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) avec les deuxapproximations :L’approximation du gradient généralisé (GGA) et l’approximation de ladensité locale (LDA) implémentés dans le code WIEN2K. Pour les propriétés électroniques,on a utilisé l’approximation (mBJ: modified Becke-Johnson) avec les approximationsprécédentes pour améliorer le gap énergétique. Les résultats obtenus montre que cesmatériaux se sont des semi-conducteurs avec un gap d’énergie direct.Ces matériaux ont une grande importance dans le domaine de l'électronique

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رقم الوثيقة

0d172961-e894-4230-a00a-f7956f9d8a34

رقم العقد

0

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Crawler

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الرسائل العلمية

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ماستر (LMD)

نوع الملف

pdf text

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907949_1.pdf

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French

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Etude des propriétés électroniques des semi-conducteurs ternaires (III-V)

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الإشراف

Z. Charifi

الإعداد

Zahra Mouissat

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