Modeling and simulation of thermal behavior in field effect transistor systems

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

الملخص

روابط وملفات

الوثيقة في المستودع الخارجي عرض في AskZad

التعريف والنوع

رقم الوثيقة: 0ca82a11-7f2b-4e87-96cd-86d4b9b0b74d
رقم العقد: 0
نوع الوسائط: Crawler
نوع المحتوى: الرسائل العلمية
صيغة المصدر: ماستر (LMD)
نوع الملف: pdf text
أسماء الملفات: 2370915_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين: [{"name_ar":"اسامة زبيري","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"اشرف عبدالحميد خلفاوي","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"براهيم سعود","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"خميس معمري","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"}]
اللغة: English

المصدر والدورية

اسم المصدر: Modeling and simulation of thermal behavior in field effect transistor systems

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات: 0
ترجمة الملخص: ترانزستور ذو التأثير الحقلي هو العمود الفقري لإلكترونيات أشباه الموصلات اليوم، من بين اجهزة الترانزستور المستعملة هوحيث ان هذا الجهاز له دور مهم في الدوائر الالكترونية )MESFET( ترانزستورمعدني شبه موصل ذو التأثير الحقلي ميسفتمن حيث المقاومة التيار الكهربائي المار والتحكم في شدة هذا التيار .ومع تناقص حجم الجهاز على مقياس النانو، فإن الحرارةالمتولدة تؤثر على كفاءة الجهاز .في هذا العمل قمنا بدراسة الانتقال الحراري داخل جهاز ميسفت المعتمدة على زرنيخيد الغاليوممع تأثير معامل الانعكاسية الذي يؤثر على التوصيل الحراري للجهاز وتغيير في ركيزة الجهاز حيث تم استعمال سليكون واوكسيدسليلكون و زرنيخيد الغاليوم، وذلك باستخدام طريقة شبكة بولتزمان .أظهرت النتائج أن الجهاز المعتمد على ركيزة السيليكونأقل حرارة من الجهاز المعتمد على واوكسيد سليلكون و زرنيخيد الغاليوم ، كما أن زيادة معامل الانعكاسية له تأثير إيجابي علىخفض درجة حرارة الأجهزة الإلكترونية.
كلمات الباحثين: behavior

إشراف وإعداد

الإشراف: اسامة زبيري
الإعداد: اشرف عبدالحميد خلفاوي, براهيم سعود, خميس معمري

الاقتباسات الببليوغرافية

APA

اسامة زبيري،وآخرون. (2024). Modeling and simulation of thermal behavior in field effect transistor systems. أطروحة(ماستر (LMD)). كلية التكنولوجيا-جامعة الشهيد حمة لخضر - الوادي. الجزائر.

MLA

اسامة زبيري،وآخرون. Modeling and simulation of thermal behavior in field effect transistor systems. 2024. كلية التكنولوجيا-جامعة الشهيد حمة لخضر - الوادي، ماستر (LMD).