Dépôt du silicium en couches mines à haute temperature par pulverisation en continu assistée d'un champ magnétique

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علوم بحتة وطبيعية

الملخص

Les multiples applications du silicium en couches minces et de ses alliages, font que ces matériaux soient dans plusieurs laboratoires. Ces matériaux peuvent être élaborés par plusieurs techniques de dépôt.Nous avons utilisé la technique de "Pulvérisation en Continu Assistée d'un Champ Magnétique" d'une silicium sous plasma d'argon et d'hydrogène. Cette technique permet de découpler les sources du matériau.Ce qui n'est pas le cas pour les techniques de décomposition d'un gaz par exemple.Dans ce travail nous avons étudié les propriétés du matériau et nous avons suivi son évolution en fonction température de dépôt. Cette étude est menée alors sur des échantillons déposés dans une gamme allant de 260 °C à 660 °C et à des vitesses de dépôt comprises entre 10 ≈/sec et 15 ≈/sec.Pour étudier le matériau, nous avons mesuré la conductivité sous obscurité σobs, la photoconductivité σph; d'absorption optique α et l'indice de réfraction statique ns. Pour l'évaluation de la densité d'états , nous avons utilisé les techniques PDS et CPM. La structure du matériau a été explorée à l'aide de Raman.L'évolution de ces caractéristiques en fonction de la température de dépôt, nous a amené à zones de température. La température de 550 °C apparaît comme une frontière de séparation tendances. Plus bas que 550 °C, le matériau est amorphe. Il montre une diminution de la densité avec l'augmentation de la température de dépôt.Au-delà de 550 °C, le matériau reste amorphe, mais dans cette zone, la densité de défauts augmente de la température de dépôt. Le matériau devient polycristallin à la température de dépôt °C.Les caractéristiques du matériau déposé autour de 600 °C présente des particularités : sa relativement élevée et ce avec une densité de défauts importante. Ceci suggère un matériau amorphe structure particulière.

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0bff09de-0ed2-4af9-84e4-1bcf2932ba5e

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0

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Crawler

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الرسائل العلمية

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رسائل ماجيستير

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pdf text

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1374793_1.pdf, 1374793_2.pdf

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ألقاب المؤلفين

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French

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Dépôt du silicium en couches mines à haute temperature par pulverisation en continu assistée d'un champ magnétique

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كلمات الباحثين

Champ magnétique , couche mince , Physique des matériaux, Silicium

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الإشراف

Oucher Mouss

الإعداد

Rabah Cherfi

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