Étude et simulation d’une structure à base de semi-conducteurs III-V pour l’émission dans l’infrarouge

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

الملخص

Afin d’améliorer la performance d’un composant électronique pour augmenter les débits d’information et diminuer leurs facteurs de pertes, on a étudié et simuler trois structures à base de semi-conducteurs III-V, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP et GaAsP/GaP. D’abord on a étudié l’effet de l’incorporation de l’indium et le phosphore sur les paramètres de maille des deux structures actives, on a aussi simulé la contrainte uniaxiale et biaxiale des trois matériaux. On a optimisé l’impact de la température et de l’énergie de gap sur les différents paramètres optiques et électroniques tels que l’absorption en 3D, le gap, la barrière de potentiel, tous leurs résultats montrent que pour des concentrations d’indium et de phosphore optimales, nos structures peuvent atteindre des longueurs d’onde exploitables en télécommunication.

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التعريف والنوع

رقم الوثيقة

0b775efe-1a69-49e0-bdfc-cc313c2e504f

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0

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Crawler

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الرسائل العلمية

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ماستر (LMD)

نوع الملف

pdf text

أسماء الملفات

2226423_1.pdf

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ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":"Aissat Abdelkader","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Fethallah Sarah","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"}]

اللغة

French

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اسم المصدر

Étude et simulation d’une structure à base de semi-conducteurs III-V pour l’émission dans l’infrarouge

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ترجمة الملخص

In order to improve the performance of an electronic component to increase information rates and decrease their loss factors, three III-V semiconductor structures have been studied and simulated, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP and GaAsP/GaP, First, the effect of indium and phosphore incorporation on the lattice parameters of the two active structures was studied, and the uniaxial and biaxial lattice mismatchs of the three materials was simulated. The impact of temperature and gap energy on the different optical and electronic parameters such as 3D absorption, gap and potential barrier has been optimized. All their results show that for optimal indium and phosphore concentrations, our structures can reach wavelengths exploitable in telecommunication.

كلمات الباحثين

semi-conducteurs III-V, substrat, épitaxie, Puits quantiques, laser

إشراف وإعداد

الإشراف

Aissat Abdelkader

الإعداد

Fethallah Sarah

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