Etude de l’effet d’auto-échauffement dans le transistor MOS-HEMT

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

الملخص

Les performances intéressantes du transistor HEMT AlGaN/GaN sur substratssaphir ou SiC ont été appliquées avec succès sur les dispositifs de puissance microondes.À ce jour, les recherches sont orientées vers le dispositif MOSHEMT. Pour cedernier le courant de fuite a été réduit d’une manière significative et le courant dedrain important a été obtenu pour une polarisation de grille élevée. Or, Les progrèstechnologiques accomplis ces dernières années permettent de disposer des transistorsrapides ayant des caractéristiques intéressantes. La conception des circuits pour lessystèmes complexes nécessitent une grande densité d’intégration, ceci impose detraiter les effets thermiques liés aux fortes dissipations de puissances et qui sontresponsables de la dégradation des performances de ces systèmes.Le travail présenté dans ce mémoire porte sur l’étude de l’effet d’auto-échauffementsur le comportement DC du transistor MOS-HEMT SiO2/AlGaN/GaN. Dans ce cadre,un modèle physico-thermique issu d’un couplage d’un modèle de dérive-diffusion etd’un modèle de transfert thermique par conduction est basé sur la méthode deséléments finis a été développé pour ce transistor. Ce modèle prend en compte latempérature de réseau en tout point du composant. Il permet l’étude et l’analysedétaillée de l’effet de la température sur l’ensemble des paramètres de ce composant.Ce modèle a été exploité pour examiné l’influence de certains paramètrestechnologiques qui impactent les performances du transistor tels que l’épaisseur del’oxyde de grille, la température du socle, etc.

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French

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Etude de l’effet d’auto-échauffement dans le transistor MOS-HEMT

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Djelti Hamida

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Fatima Zahra Benmansour, Sana Benosman

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