Modélisation de la température pour les composants actifs radio fréquence

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

الملخص

Notre travail s’est orienté dans le cadre d’une recherche de l’effet thermique sur le comportement de transistor de puissance HEMT AL-GAN/GAN car leurs performances et leur fiabilité dépendent directement de leurs températures de fonctionnement .ce dernier est très prometteur pour les applications haute puissance à hautes fréquences. Ce travail est fait par une conception assistée par ordinateur (CAO) laquelle est essentiel pour refléter la réalité avec l'augmentation du niveau de puissance et de la température du cana.

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التعريف والنوع

رقم الوثيقة

09820ba2-0c3b-42c3-8b0c-adcb02f01aa0

رقم العقد

0

نوع الوسائط

Crawler

نوع المحتوى

الرسائل العلمية

صيغة المصدر

ماستر (LMD)

نوع الملف

pdf text

أسماء الملفات

2223158_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":" Samir Dahmani","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Abdelaziz Fitas","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"Ilyes Louaked","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"}]

اللغة

French

المصدر والدورية

اسم المصدر

Modélisation de la température pour les composants actifs radio fréquence

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عدد الصفحات

0

ترجمة الملخص

Our work is oriented towards researching the thermal effect on the behavior of HEMTAL-GAN/GAN power transistors because their performance and reliability are directly dependent on their operating temperature, which is very promising for high-power, high-frequency applications. This work is done bycomputer aided design (CAD)which is essential to reflect the reality with increasing power level and channel temperature.

كلمات الباحثين

l’effet thermique; transistor HEMT; AL-GAN/GAN; conception assistée par ordinateur CAO

إشراف وإعداد

الإشراف

Samir Dahmani

الإعداد

Abdelaziz Fitas, Ilyes Louaked

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