Caractérisation et fabrication de transistor bipolaire de la classe III-V

الموضوعات

علوم بحتة وطبيعية

الملخص

La recherche dans le domaine des sciences des matériaux et en particulier des semiconducteursa pris une ampleur considérable grâce à l‘enjeu économique du traitement del‘information comme l’invention de transistor en 1947 depuis les chercheurs n’ont cessé deminiaturiser électronique. La technologie moderne basée sur l’amélioration de techniques defabrication pour avoir meilleur fiabilité.

روابط وملفات

التعريف والنوع

رقم الوثيقة

087791d7-2f43-40b3-8857-bc5d78801808

رقم العقد

0

نوع الوسائط

Crawler

نوع المحتوى

الرسائل العلمية

صيغة المصدر

ماستر (LMD)

نوع الملف

pdf text

أسماء الملفات

790235_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":"A. Bentabet ","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Boudrouaz Saadi","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"G. Regaigui ","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Mohamed Allouche","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"}]

اللغة

French

المصدر والدورية

اسم المصدر

Caractérisation et fabrication de transistor bipolaire de la classe III-V

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات

0

كلمات الباحثين

Transistor, semi-conducteurs, jonction PN, MBE, MOCVD.

إشراف وإعداد

الإشراف

A. Bentabet , G. Regaigui

الإعداد

Boudrouaz Saadi, Mohamed Allouche

الاقتباسات الببليوغرافية