Modélisation du transistor à effet de champ (TEC) en couches minces à base de silicium polycristallin Si-L.P.C.V.D

F. Mansour , Nour El Houda Touidjen

كلية العلوم الهندسية-جامعة الاخوة منتورى - قسنطينة 1 · الجزائر

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

روابط وملفات

الوثيقة في المستودع الخارجي عرض في AskZad

التعريف والنوع

رقم الوثيقة: 08755567-793c-482e-8737-4a849ebf0f02
رقم العقد: 0
نوع الوسائط: Crawler
نوع المحتوى: الرسائل العلمية
صيغة المصدر: رسائل دكتوراة
نوع الملف: pdf text
أسماء الملفات: 793628_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين: [{"name_ar":"F. Mansour ","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Nour El Houda Touidjen ","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"}]
اللغة: French

المصدر والدورية

اسم المصدر: Modélisation du transistor à effet de champ (TEC) en couches minces à base de silicium polycristallin Si-L.P.C.V.D

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات: 0

إشراف وإعداد

الإشراف: F. Mansour
الإعداد: Nour El Houda Touidjen

الاقتباسات الببليوغرافية

APA

F. Mansour و Nour El Houda Touidjen . (2010). Modélisation du transistor à effet de champ (TEC) en couches minces à base de silicium polycristallin Si-L.P.C.V.D. أطروحة(رسائل دكتوراة). كلية العلوم الهندسية-جامعة الاخوة منتورى - قسنطينة 1. الجزائر.

MLA

F. Mansour و Nour El Houda Touidjen . Modélisation du transistor à effet de champ (TEC) en couches minces à base de silicium polycristallin Si-L.P.C.V.D. 2010. كلية العلوم الهندسية-جامعة الاخوة منتورى - قسنطينة 1، رسائل دكتوراة.