Contribution à l’étude et la modélisation du transistor à effet de champ à grille isolée de haute permittivité diélectrique

Abid Hamza, Berrah Smail, Mostefai Abdelkrim

كلية الهندسة الكهربائية-جامعة جيلالي ليابس – سيدي بلعباس · الجزائر

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

روابط وملفات

الوثيقة في المستودع الخارجي عرض في AskZad

التعريف والنوع

رقم الوثيقة: 07b9faf3-4a8d-4d7a-b293-293631a9972b
رقم العقد: 0
نوع الوسائط: Crawler
نوع المحتوى: الرسائل العلمية
صيغة المصدر: رسائل دكتوراة
نوع الملف: pdf text
أسماء الملفات: 530865_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين: [{"name_ar":"Abid Hamza","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Berrah Smail","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Mostefai Abdelkrim","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"}]
اللغة: French

المصدر والدورية

اسم المصدر: Contribution à l’étude et la modélisation du transistor à effet de champ à grille isolée de haute permittivité diélectrique

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات: 0

إشراف وإعداد

الإشراف: Abid Hamza, Berrah Smail
الإعداد: Mostefai Abdelkrim

الاقتباسات الببليوغرافية

APA

Abid Hamza،Berrah Smail و Mostefai Abdelkrim. (2017). Contribution à l’étude et la modélisation du transistor à effet de champ à grille isolée de haute permittivité diélectrique. أطروحة(رسائل دكتوراة). كلية الهندسة الكهربائية-جامعة جيلالي ليابس – سيدي بلعباس. الجزائر.

MLA

Abid Hamza،Berrah Smail و Mostefai Abdelkrim. Contribution à l’étude et la modélisation du transistor à effet de champ à grille isolée de haute permittivité diélectrique. 2017. كلية الهندسة الكهربائية-جامعة جيلالي ليابس – سيدي بلعباس، رسائل دكتوراة.