دراسة تأثير عوامل التحضير على الخواص التركيبية والكهربائية لأغشية -cdSe1-x Tex-
Studying the Effect of Preparational Parameters on the Structural and Electrical Properties of (CdSe1-XTex)
غصون جليل ابراهيم, فؤاد شاكر هاشم, منى ناصر مقادسي
كلية العلوم-جامعة بابل · العراق
الموضوعات
علوم تطبيقية وتكنولوجية
الملخص
إن العمل المنجز في هذه الأطروحة قد تم في جامعة بغداد ـ كلية العلوم ـ قسم الفيزياء بنسبة 70% وفي جامعة بابل ـ كلية العلوم ـ قسم الفيزياء بنسبة 30% للفترة من تشرين الثاني 1999 لغاية أيلول 2001 وبإشراف الأستاذ المساعد د. فؤاد شاكر هاشم والأستاذ د. متي ناصر مقادسي وباستثناء ما مشار إليه بمصدر معين فإن المعلومات الموجودة هي من نتاج الباحث وإنها لم تقدم لنيل درجة علمية أخرى سابقاً.إن الهدف الرئيس من هذا البحث هو دراسة تأثير عوامل التحضير (درجة حرارة الأساس ومعدل الترسيب) على الخواص التركيبية والكهربائية لأغشية CdSe1-xTex الرقيقة، ولأجل ذلك تم تحضير سبائك(CdSe1-xTex) وبنسب تحضير (x=0.1، 0.2 و 0.3) بالتسخين التدريجي لخليط العناصر Cd، Se و Te، ثم تبريد الخليط المنصهر بالماء البارد،بعدها تم تحضير أغشية رقيقة من هذه السبائك الثلاث بطريقة التبخير الحراري في فراغ يصل الى (mbar 10-6) وبظروف تحضير مختلفة شملت معدلات ترسيب(R.D= 0.3، 0.5 و 0.7) وبدرجات حرارة أساس (Ts = 300، 323 و 373) K، وبسمكnm (20 350) .أظهرت نتائج حيود الأشعة السينية بأن السبائك(CdSe1-xTex) متعددة التبلور(Polycrystalline) وتتكون من خليط من وحدة خلية سداسية ووحدة خلية مكعبة، فيما أظهرت نتائج حيود الأشعة السينية للأغشية(CdSe1-x Tex) بأنها متعددة التبلور وتمتلك التركيب المكعبي نوع (Zinc-blend) واتضح أن زيادة درجة حرارة الأساس وخفض معدل الترسيب يحسن تبلور الأغشية.تم دراسة تأثير درجة حرارة الأساس ومعدل الترسيب وكذلك تأثير زيادة نسبة (x) في الأغشية (CdSe1-xTex) على قيم التوصيلية الكهربائية المستمرة وطاقات التنشيط، تحركية حوامل الشحنات، تركيز حوامل الشحنات وطاقات تنشيط القدرة الكهروحرارية.حيث أظهرت النتائج بأن زيادة درجة حرارة الأساس ومعدل الترسيب في تحضير الأغشية تؤدي إلى زيادة في التوصيلية الكهربائية المستمرة والتحركية لحوامل الشحنات فيما تقل قيمة كل من طاقة تنشيط التوصيلية الكهربائية المستمرة وتركيز حوامل الشحنات وطاقة تنشيط القدرة الكهروحرارية. وأظهرت جميع الأغشية بأنها من النوع السالب (n-type) ، واتضح بأن زيادة نسبة التلوريوم(Te) في الأغشية تؤدي إلى نقصان كل من التوصيلية الكهربائية المستمرة والتحركية، فيما تزداد قيمة كل من طاقة تنشيط التوصيلية الكهربائية المستمرة، تركيز حوامل الشحنات وطاقة تنشيط القدرة الكهروحرارية.وتم في هذه الدراسة تحضير متسعة (Al-CdSe0.9Te0.1-Al) المحضرة من الغشاء الرقيق (CdSe0.9Te0.1) المحضر بدرجة حرارة أساس (K 323) وبمعدل ترسيب0.3) ) وبسمك (20 350) nm . وتم دراسة العلاقة بين التوصيلية الكهربائية المتناوبة (a.c.) والتردد وتم حساب قيمة المعامل (N) والذي اتضح أن قيمته تنخفض بزيادة درجة الحرارة. كما تم دراسة العلاقة بين كل من السعة، ثابت العزل بجزئيه الحقيقي والخيالي وظل زاوية الفقدان مع التردد واتضح أن قيمها تقل بزيادة التردد.
روابط وملفات
التعريف والنوع
- رقم الوثيقة
- 061b4990-ae14-41c3-8c23-0a9e2225c808
- رقم العقد
- 0
- نوع الوسائط
- Crawler
- نوع المحتوى
- الرسائل العلمية
- صيغة المصدر
- رسائل ماجيستير
- نوع الملف
- pdf text
- أسماء الملفات
- 1002406_1.pdf
بيانات النشر
- ترجمة العنوان
- Studying the Effect of Preparational Parameters on the Structural and Electrical Properties of (CdSe1-XTex)
- ألقاب المؤلفين
- [{"name_ar":"غصون جليل ابراهيم","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"فؤاد شاكر هاشم","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"منى ناصر مقادسي","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]
- اللغة
- Arabic
المصدر والدورية
- اسم المصدر
- دراسة تأثير عوامل التحضير على الخواص التركيبية والكهربائية لأغشية -cdSe1-x Tex-
المحتوى والصفحات
- عدد الصفحات
- 0
- ترجمة الملخص
- The work described in this thesis was undertaken at the University of Baghdad – College of Science – Physics Department with 70% ratio and at University of Babylon – College of Science – Physics Department with 70% ratio between November 2011 and September 2009 under the supervision of Dr. F.S. Hashim and Dr. M.N. Makadsi. Except where indicated by references, it is the original work of the author and has not been submitted for achieving any other scientific degree. The main purpose of this research is to study the effect of preparation parameters [substrate temperature (Ts) and rate of deposition (R.D.)] on the structural and electrical properties of (CdSe₁₋ₓTeₓ) thin films. So, the alloys of (CdSe₁₋ₓTeₓ) have been prepared with preparation ratios (x = 0.9, 0.1, and 0.0) by heating the mixture of Cd, Se, and Te elements gradually; then the melting mixture has been quenched in cold water. The thin films of these three alloys have been prepared by thermal vacuum evaporation method with different ambient conditions (Ts = 300, 350, and 400 K) and (R.D = 0.3, 0.6, and 0.9) sec·nm, with (500 ± 10) nm thickness. X-ray diffraction technique (XRD) results have shown that the alloys of (CdSe₁₋ₓTeₓ) are polycrystalline and consist of a mixture of hexagonal unit cell and cubic unit cell, whereas XRD results for (CdSe₁₋ₓTeₓ) thin films have shown that the films are single crystal and have cubic structure (Zinc-blende). It is shown that the increase of (Ts) and the decrease of (R.D.) increase the degree of crystallinity. The effect of Ts and R.D., and the effect of increasing the ratio (x) in (CdSe₁₋ₓTeₓ) films on D.C. electrical conductivity (σ_d.c.), activation energy (E_σ), mobility (μ), charge carriers concentration (n) and activation energy for thermoelectric power (E_s) have been studied. The results have shown that the increase of Ts and R.D. in preparing the films leads to increase σ_d.c. and μ, whereas it leads to decrease E_σ, n, and E_s values. Also, the results have shown that all films are n-type. The increase of Te-ratio in films leads to decrease σ_d.c. and μ, whereas it leads to increase E_σ, n, and E_s values. Al–CdSe₀.₁Te₀.₉–Al capacitor, which has been prepared in this study, is prepared from (CdSe₀.₁Te₀.₉) thin film with preparation conditions (Ts = 350 K, R.D = 0.3 sec·nm) and with (500 ± 10) nm thickness. The relation between a.c. electrical conductivity (σ_a.c.) and frequency (ω) has been studied, and (N) values have been determined showing a decrease with increasing temperature. The study has shown that the values of capacitance (C), real part of dielectric constant (ε_r), imaginary part of dielectric constant (ε_i), and loss factor (tan δ) decrease when (ω) increases.
- كلمات الباحثين
- CdSe₁₋ₓTeₓ، درجة الحرارة للركيزة، معدل الترسيب، التوصيل الكهربائي، الكهربية A.C و D.C، الزاوية البلورية، XRD، السعة، الثابت العازل
إشراف وإعداد
- الإشراف
- فؤاد شاكر هاشم, منى ناصر مقادسي
- الإعداد
- غصون جليل ابراهيم
الاقتباسات الببليوغرافية
APA
MLA