Simulation of HIT solar cells with p type c-Si wafer

الموضوعات

علوم بحتة وطبيعية

الملخص

Hetero-junction with intrinsic thin layer (HIT) solar cells have attracted great attention due to their potential of achieving high conversion efficiency exceeding that of crystalline silicon solarcells. This technology is based on the Sanyo's HIT design that consists of a hetero-junction formedby depositing p-doped hydrogenated amorphous silicon layer a-Si:H(p) on n-doped crystalline silicon c-Si(n) wafer. In addition, these two layers are usually sandwiched by a thin intrinsicamorphous silicon a-Si:H(i), acting as a passivation layer.Sanyo's technology achieved the World Record cell conversion efficiency of 26.7% for a practicalcell size of 180 cm(close to the theoretical limit of 29.4%). Even though well-known research and industrial groups in the world also do good works on HIT solar cells achieving over 20% conversion efficiency, none has yet surpassed or approached Sanyo's level. This is partially due to the Sanyo's successful technologies for fabricating "high-quality" doped a-Si:H thin layers.This research project aims to simulate, using AFORS-HET, a new design of HIT solar cells basedon p-doped crystalline silicon c-Si(p) wafer, and compare it to Sanyo structure. Also thesimulation work will shed light on the recombination's mechanism within the HIT solarcells mainly the surface recombination in the emitter doped amorphous silicon layer.

روابط وملفات

التعريف والنوع

رقم الوثيقة

05efdd42-2f44-4f6e-bb70-a70ec218085a

رقم العقد

0

نوع الوسائط

Crawler

نوع المحتوى

الرسائل العلمية

صيغة المصدر

رسائل ماجيستير

نوع الملف

pdf text

أسماء الملفات

1375476_1.pdf

بيانات النشر

ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":"ايمان ناصر علي","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"محمد سوير","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]

اللغة

English

المصدر والدورية

اسم المصدر

Simulation of HIT solar cells with p type c-Si wafer

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات

0

ترجمة الملخص

لقد اجتذب نوع الخلايا الشمسية المعروف باسم الوصلة الثنائية بمفترق مغایر ذات الطبقة الداخلية الرفيعة (HIT) اهتماما كبيرا بسبب قدرتها على تحقيق كفاءة تحويل عالية تفوق طاقة الخلايا الشمسية البلورية. تعتمد هذه التقنية على تصميم من شركة سانيو الذي يتكون من مفترق مغاير ناتج عن ترسيب طبقة سليكون غير متبلور هایدروجينية مطعمة بالفجوات -a) ( Si : H ( p على رقاقة سليكون بلوري مطعم بالالكترونات ( c - Si ( n . بالإضافة إلى ذلك ، فإن هاتين الطبقتين عادة ما تكون محصورة بسليكون غير بلوري ذاتي رقيق 1) a - Si : H ) ، يعمل كطبقة تخميل.حققت تقنية سانيو كفاءة تحويل الخلية في السجل العالمي بنسبة 26 . 7 % لحجم خلية عملي يبلغ 180 سم 2 (على مقربة من الحد النظري البالغ 29 . 4 %). على الرغم من أن العديد من المجموعات البحثية والصناعية الشهيرة في العالم تقوم أيضا بعمل جيد على هذا النوع من الخلايا الشمسية HIT لتحقيق كفاءة تحويل تزيد عن 20% ، إلا أن أيا منها لم يتجاوز أو يقترب من مستوی سانیو. ويرجع ذلك جزئيا إلى التقنيات الناجحة لشركة سانيو لتصنيع طبقات رقيقة عالية الجودة من السليكون الغير متبلور الهيدوجيني المطعم .يهدف هذا المشروع البحثي إلى محاكاة ، باستخدام برنامج AFORS - HET ، تصميما جديدا للخلايا الشمسية HIT استنادا إلى رقاقة ( c - Si ( p السيليكون المتبلورة ، ومقارنتها ببنية شركة سانيو. كما ستلقي أعمال المحاكاة الضوء على آلية إعادة التركيب ضمن الخلايا الشمسية HIT ، خاصة إعادة التركيب السطحي في طبقة السيليكون غير المتبلورة المنبعثة.

كلمات الباحثين

Physics, Solar cells

إشراف وإعداد

الإشراف

محمد سوير

الإعداد

ايمان ناصر علي

الاقتباسات الببليوغرافية