Schoobrary رجوع
العودة إلى البحث
رسائل ماجيستير الانجليزية 2019 04d6fda0-061f-4ea3-b21a-7fb29a649e68

Magnetic properties of donor impurity in GaAs semiconductor quantum pseudo-dot system (GaAs)

الخصائص المغناطيسية لشائبة مانحة في نقطة كمية شبه موصل من مادة GaAS

هناء محمد, محمد السعيد

كلية الدراسات العليا-جامعة النجاح الوطنية · فلسطين

الموضوعات

علوم بحتة وطبيعية

الملخص

The magnetic properties like magnetization and susceptibility of donor impurity in quantum pseudo-dot (QPD) are studied in the presence of the applied external magnetic and electric fields. The shifted 1/N expansion method has been used to solve the Hamiltonian of the donor impurity in (QPD). We calculate the energy eigenvalue for the ground state and low lying state as a function of magnetic field strength with various quantum dot physical parameters. Our computed energy results of the QPD show very good agreement compared with the corresponding reported work. These parameters are: the presence of the impurity, the electric field strength η, the magnetic field strength ωc, the confinement pseud-dot potential: radius of QD (R0) and the confinement strength (V0). The dependencies of the binding energy and statistical energy on the electric field strength η, the magnetic field strength ωc, and the confining pseud-dot potential (R0 , V0) are presented. Our results reveal that the presence of the impurity, the electric field strength η, the magnetic field strength ωc, and the confinement pseud-dot potential (R0 , V0) have significant influences on magnetization and susceptibility. The magnetization and susceptibility curves show oscillating behavior which is attributed to the energy level crossings of the QPD spectra.

التعريف والنوع

رقم الوثيقة
04d6fda0-061f-4ea3-b21a-7fb29a649e68
رقم العقد
0
نوع الوسائط
Crawler
نوع المحتوى
الرسائل العلمية
صيغة المصدر
رسائل ماجيستير
نوع الملف
pdf text
أسماء الملفات
1611965_1.pdf

بيانات النشر

ترجمة العنوان
الخصائص المغناطيسية لشائبة مانحة في نقطة كمية شبه موصل من مادة GaAS
ألقاب المؤلفين
[{"name_ar":" هناء محمد","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"محمد السعيد","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]
اللغة
English

المصدر والدورية

اسم المصدر
Magnetic properties of donor impurity in GaAs semiconductor quantum pseudo-dot system (GaAs)

المحتوى والصفحات

عدد الصفحات
0

إشراف وإعداد

الإشراف
محمد السعيد
الإعداد
هناء محمد

الاقتباسات الببليوغرافية

APA

هناء محمد و محمد السعيد. (2019). Magnetic properties of donor impurity in GaAs semiconductor quantum pseudo-dot system (GaAs). أطروحة(رسائل ماجيستير). كلية الدراسات العليا-جامعة النجاح الوطنية. فلسطين.

MLA

هناء محمد و محمد السعيد. Magnetic properties of donor impurity in GaAs semiconductor quantum pseudo-dot system (GaAs). 2019. كلية الدراسات العليا-جامعة النجاح الوطنية، رسائل ماجيستير.