Etude et Simulation du Transistor HEMT AlGaN /GaN/ BGaN

الموضوعات

علوم تطبيقية وتكنولوجية

الملخص

Les HEMTs AlGaN/GaN sont très prometteurs pour les applications haute puissance et haute fréquence grâce à leur gaz bi-dimensionnel d'électrons (2DEG) de forte densité (>1013cm-2) et de haute mobilité (~1500 cm2/Vs) ainsi qu'à leur champ de claquage très élevé (≥ 3MV /cm). Pour ces applications, les HEMT GaN concurrencent avantageusement les technologies bipolaires et BiCMOS basées sur SiGe, les LDMOS Si et SiC, ainsi que les PHEMT GaAs. Ce projet de fin d’études porte sur l’étude et la simulation des performances statiques du transistor AlGaN /GaN /BGaN/ GaN HEMT sur substrat Silicium.Dans ce cadre, un modèle physico-électrique issu d’un modèle de dérive-diffusion est basé sur la méthode des éléments finis sera développé pour le transistor HEMT boré à base de nitrure de gallium. Ce modèle décrit les mécanismes impliqués dans le transport des porteurs tout en prenant en compte les spécificités des HEMTs et des matériaux nitrurés (telles que les phénomènes de polarisation spontanée et piézoélectrique). Ainsi, il permet l’amélioration de l’isolation de la couche tampon et du confinement des porteurs dans le puits du transistor HEMT GaN boré. Aussi, ce modèle sera exploité pour examiner l’influence de certains paramètres technologiques sur le comportement statique du transistor HEMT tels que l’épaisseur de la couche tampon (BGaN) et la hauteur des couches barrière/canal (AlGaN/GaN).

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رقم الوثيقة

0445cce4-ed6d-4a64-9dbd-2e94b48110b3

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0

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Crawler

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الرسائل العلمية

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ماستر (LMD)

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pdf text

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2070962_1.pdf

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ألقاب المؤلفين

[{"name_ar":"Halima Nadjat Bouchenafa","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"Hamida Djelti ","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"},{"name_ar":"Nor El Houda Bouayed","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"}]

اللغة

French

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Etude et Simulation du Transistor HEMT AlGaN /GaN/ BGaN

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ترجمة الملخص

AlGaN / GaN HEMTs are very promising for high power and high frequency applications thanks to their two-dimensional electron gas (2DEG) with high density (> 1013cm-2) and high mobility (~ 1500 cm2 / Vs) as well than at their very high breakdown field (≥3MV / cm). For these applications, HEMT GaN advantageously compete with bipolar and BiCMOS technologies based on SiGe, LDMOS Si and SiC, as well as PHEMT GaAs.This end of study project concerns the study and simulation of the static performances of the AlGaN / GaN / BGaN / GaN HEMT transistor on Silicon substrate. In this context, a physico-electric model derived from a drift-diffusion model is based on the finite element method will be developed for the borated HEMT transistor based on gallium nitride. This model describes the mechanisms involved in the transport of carriers while taking into account the specificities of HEMTs and nitrided materials (such as the phenomena of spontaneous and piezoelectric polarization). Thus, itimproves the isolation of the buffer layer and the confinement of the carriers in the well of the HEMT GaN borated transistor.Also, this model will be used to examine the influence of certain technological parameters on the static behavior of the HEMT transistor such as the thickness of the buffer layer (BGaN) and the height of the barrier / channel layers (AlGaN / GaN

إشراف وإعداد

الإشراف

Hamida Djelti

الإعداد

Halima Nadjat Bouchenafa, Nor El Houda Bouayed

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