Simulation numérique d’une cellule solaire à hétérojonction HIT en silicium par le logiciel TCAD-SILVACO
Mansour Hayette, Tobbeche Souad
كلية العلوم والتكنولوجيا-جامعة محمد خيضر - بسكرة · الجزائر
الموضوعات
علوم تطبيقية وتكنولوجية
الملخص
RésuméLe travail de ce mémoire est une étude par simulation numérique des caractéristiques électriquesd’une cellule solaire double HIT de type n en silicium cristallin (c-Si) et en silicium amorphehydrogéné (a-Si:H) de structure a-Si :H(p)/a-Si :H(i)/c-Si(n)/a-Si :H(i)/a-Si :H(n)) en utilisant lesimulateur Atlas du logiciel Tcad Silvaco. Les caractéristiques électriques de la densité de couranten fonction de la tension J(V) et de la densité de puissance en fonction de la tension P(V) souséclairement AM1.5 sont simulées ainsi que le rendement quantique externe (RQE). Le rendementde conversion () calculé est de 20.43% et les autres paramètres photovoltaïques simulés : latension en circuit ouvert (Voc) est de 0.70 V, la densité du courant de court circuit (Jsc) est de 34.16mA/cm² et le facteur de forme (FF) est de 84.71%. L’influence des paramètres des couches sur lesperformances de cette cellule est aussi étudiée, le rendement est influencé sensiblement par lesparamètres des deux couches a-Si:H(p) et a-Si:H(i). Le meilleur résultat est obtenu pour une celluleayant une couche a-Si:H(p) de gap 1.98 eV, le rendement atteint est de 20.57%. Les paramètres desdeux couches c-Si(n) et a-Si:H(n) ont un effet négligeable sur les performances de la cellule.
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التعريف والنوع
- رقم الوثيقة
- 0372db85-76f4-4ee7-9356-375eb34952bf
- رقم العقد
- 0
- نوع الوسائط
- Crawler
- نوع المحتوى
- الرسائل العلمية
- صيغة المصدر
- ماستر (LMD)
- نوع الملف
- pdf text
- أسماء الملفات
- 294812_1.pdf
بيانات النشر
- ألقاب المؤلفين
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- اللغة
- French
المصدر والدورية
- اسم المصدر
- Simulation numérique d’une cellule solaire à hétérojonction HIT en silicium par le logiciel TCAD-SILVACO
المحتوى والصفحات
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إشراف وإعداد
- الإشراف
- Tobbeche Souad
- الإعداد
- Mansour Hayette
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