Solution du modèle de Cohen Bergstresser pour le silicium
Abderrahim Siassi, N. Grar
كلية العلوم والتكنولوجيا-جامعة محمد البشير الإبراهيمي - برج بوعريريج · الجزائر
الموضوعات
علوم بحتة وطبيعية
الملخص
Le calcul de la structure de bande électronique pour les semi-conducteurs est très utile pour connaître leurs caractéristiques. Dans cette thèse, la structure de bande électronique pour 3 cristaux de structures de diamant : Silicium (Si), Germanium (Ge), Étain (Sn), et 3 structures de zincblende : Antimoniure d’aluminium (AlSb), Phosphure de Gallium (GaP), Arséniure de Gallium (GaAs) est calculée. Nous choisissons d’utiliser la méthode pseudopotentielle empirique avec le même modèle adopté par Cohen et bergstresser. Le modèle est codé à l’aide du langage de programmation Fortran et la diagonale est élaborée à l’aide des bibliothèques LAPACK.
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التعريف والنوع
- رقم الوثيقة
- 00e2be86-ab7e-456d-9928-7dd6644848f1
- رقم العقد
- 0
- نوع الوسائط
- Crawler
- نوع المحتوى
- الرسائل العلمية
- صيغة المصدر
- ماستر (LMD)
- نوع الملف
- pdf text
- أسماء الملفات
- 790543_1.pdf
بيانات النشر
- ألقاب المؤلفين
- [{"name_ar":"Abderrahim Siassi","title_ar":"اعداد","title_en":"Preparation"},{"name_ar":"N. Grar","title_ar":"اشراف","title_en":"Supervision"}]
- اللغة
- French
المصدر والدورية
- اسم المصدر
- Solution du modèle de Cohen Bergstresser pour le silicium
المحتوى والصفحات
- عدد الصفحات
- 0
- كلمات الباحثين
- Bergstresser
إشراف وإعداد
- الإشراف
- N. Grar
- الإعداد
- Abderrahim Siassi
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